X-MaxN is a range of advanced Silicon Drift Detectors

 

 

 

 

 

 

 

最新一代X-MaxN大面积SDD能谱仪于2012年8月横空出世,携最新硅晶体、最新电路设计以及最新技术带来新一代能谱仪的全面改观。

X-MaxN 的晶体尺寸从适合于微米分析的20 mm2到纳米材料分析专用150 mm2的共四种可选。尤其是150 mm2为当今晶体面积最大的探测器,分析速度至少是普通探测器的两倍。

总览

  • 探测器晶体尺寸可选,分别为150 mm2,80 mm2,50 mm2,20 mm2
  • 无论晶体面积或大或小,X-MaxN 的分辨率始终如一的好——并符合标准ISO15632:2012
  • 无论晶体尺寸如何,能谱仪外管尺寸及在电镜中的位置完全一致,确保相同条件下,计数率的增加只源于晶体尺寸的增加
  • 强大的低能端分析,所有晶体面积的能谱仪均保证由Be开始
  • 与上一代X-Max同,无论SEM或FIB均使用同一界面

X-MaxN 的特点

X-MaxN resolution does not vary with detector size无论晶体面积如何,优异的性能始终如一


X-MaxN 的晶体面积有20mm2, 50mm2, 80mm2 and 150mm2 –其中150mm2 是当今晶体面积最大的能谱仪

  • 因其独特地外置型FET场效应管设计,X-MaxN 的分辨率完全不受晶体面积变化的影响始终如一,且保证全部具有优异的低能端检测性能
  • 探测器外管尺寸相同,意味着相同条件下,计数率仅与晶体面积有关
  • 保证所有晶体面积的能谱仪均具有优异的能量分辨率
  • 出众的低能端分析性能,保证所有尺寸的能谱仪皆可探测到Be元素

 

X-MaxN  的优点

使用大面积能谱仪意味着:

  • 低束流下有足够的计数率
  • 尽可能高的实现图像的可视性及准确性
  • 无需为能谱分析改变SEM的条件
  • 在相同束流下,极大地提高计数率
  • 缩短采集时间
  • 统计性更高
  • 实现小束斑下的能谱分析
  • 提高能谱检测的空间分辨率
  • 尽可能体现高分辨电镜的优势

晶体面积越大,X-射线计数效率越高
相同条件下,晶体面积越大:

  • 以前需要几分钟完成的工作,现在仅需要几秒钟——面/线分布更易获得
  • 采集时间相同,可极大地提高分析精度及统计性

大面积能谱仪——快速获得所有显微分析结果

 

Low energy spectra easily identified优异的低能端分析性能
X-MaxN 为低能端元素的分析做了巨大的优化——无论何种尺寸,均前所未有的表现出优异的低能端分析性能

  • 所有尺寸的能谱仪均可保证检测到Be,可获得SiLI峰的面分布

超大面积的能谱仪——均具有优异的低能端分析性能

优异的空间分辨率
高空间分辨率,X射线扩展区域更小

  • 大面积能谱仪可以在低加速电压及低束流下采集X-射线
  • 纳米尺度的特征可以更好的被检测到

超大面积的能谱仪——使高级的纳米分析成为可能
 

为什么晶体面积越大优势越明显

150 mm2 的能谱仪比小晶体面积的优势在哪里?
举例为证。加速电压20kV,束流不到2nA时,150 mm2 的能谱仪每秒即可输出200,000的计数。而使用10 mm2 的能谱仪时,需要近20nA下才可达到相同的计数率。

下图显示不同束流下的典型计数率,20kV下分析纯Mn时,探测器检出角30°且距样品45mm。使用大面积能谱仪,无需增加束流即可极大地增大计数率。也就是说在低束流下,保证高空间分辨率及低辐照损伤的同时可以获得足够多的计数。左图显示束流增加对改善图像质量的影响。

点击图像可查看大图

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

束流对纳米材料分析的影响

当使用晶体面积小的能谱仪,需要高束流来满足足够的计数率,但会损害空间分辨率。超大面积能谱仪X-MaxN 150可以在低束流即高空间分辨率下获得足够多计数,因此可以成功实现纳米材料的检测与分析。

 

 

 

 

 

 


 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

右图:纳米结构在5kV下的X-射线面分布。计数率相同时,150mm2的能谱仪所需束流更低,意味着空间分辨率足够高可以分辨出纳米尺度的变化,且极大地减弱了样品的辐照损伤。相反,10mm2的能谱仪则需要更高的束流,却会严重损害空间分辨率,使得面分布图像模糊不清。

 

 

 

Why size matters (3)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

右图:在0.2 nA, 3 kV下使用150 mm2 X-MaxN 的能谱仪对记忆合金中的纳米结构进行分析。可以观察到FeLa,NiLa及CuLa峰显示出的纳米结构分布差异,最小可以区分出20nm宽度的结构。

 

 

 

 

 

 

 

Brochures and Application Notes

Brochures

X-MaxN brochure (13MB pdf)

 

 

X-MaxN Silicon Drift Detector Range

A 12 page brochure in high resolution two page spread format

 

 

 

Application Notes

Download SDD Expained

SDD Explained

A 24 page booklet telling how SDD detectors work.

Printed copies are available free of charge for universities and other instutions running training courses. Contact your local sales team.

 

 

 

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