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PlasmaPro 100单晶圆蚀刻系统,单晶圆蚀刻技术演进的最新成果.

凭借我们丰富的蚀刻HBLED相关材料的经验,我们的技术能帮您利用最低的运营成本、最大化发挥设备的性能以获得想要的收益。

 

PlasmaPro 100单晶圆蚀刻系统可提供智能解决方案,为您提供极富竞争力的蚀刻效果。

PlasmaPro 100单晶圆蚀刻系统专为HBLED材料苛刻化学要求而设计,能在最大直径为200mm的晶圆上获得均匀、快速的蚀刻速率。此外,PlasmaPro 100还拥有高可靠性、持续运行时间长和容易操作等优点。

专用的静电夹可以夹持:

  • 蓝宝石
  • 蓝宝石上的GaN

系统主要特性和优点:

  • 主动冷却电极可在蚀刻过程中维持样本温度不变
  • 高功率ICP源可产生高密度的等离子体
  • 磁隔离装置可用于增强离子控制和均匀度
  • 高导电的泵送系统
  • 高可靠性的硬件、容易操作、出色的持续运行时间