System 100 -等离子刻蚀与沉积设备

该设备是一个灵活和功能强大的等离子体刻蚀和淀积工艺设备。 采用真空进样室进样可进行快速的晶片更换、采用多种工艺气体并扩大了允许的温度范围。
 
具有最大的工艺灵活性,适用于化合物半导体,光电子学,光子学,微机电系统和微流体技术, PlasmalabSystem100可以有很多的配置,详情如下。

主要特点
  • 可处理8 "晶片,也具有小批量(6 × 2")预制和试生产的能力
  • 选择单晶片/批处理或盒式进样,采用真空进样室。 该PlasmalabSystem100可以集成到一个集群系统中,采用中央机械手传送晶片,生产工艺中采用全片盒到片盒晶片传送. 采用一系列的电极进行衬底温度控制,其温度范围为-150 ° C至700° C
  • 用于终端检测的激光干涉和/或光发射谱可安装在Plasmalab System100以加强刻蚀控制
  • 选的6 或12路气箱为工艺流程和工艺气体提供了选择上的灵活性,并可以放置在远端,远离主要工艺设备


工艺
一些使用Plasmalab System100等离子刻蚀与沉积设备的例子:

  • 低温硅刻蚀,深硅刻蚀和SOI工艺,应用于MEMS ,微流体技术和光子技术
  • 用于激光器端面的III - V族刻蚀工艺,通过刻蚀孔、光子晶体和许多其他应用,材料范围广泛(InP, InSb, InGaAsP, GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN,等)
  •  GaN、AlGaN等的预生产和研发工艺,比如HBLED和其它功率器件的刻蚀
  • 高品质,高速率SiO2沉积,应用于光子器件
  • 金属(Nb, W)刻蚀

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PlasmaPro 100 Cobra ICP System

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PlasmaPro-100PECVD

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PlasmaPro 100Cobra with 100mm wafer

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PlasmaPro100 PECVD with 200mm wafer

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