System 133 - 300毫米大批量等离子体刻蚀与沉积设备

该System133工艺设备具有300毫米大尺寸和大批量刻蚀和沉积能力,配置灵活,能进行ICP、RIE、PECVD和ICP-PECVD(HD-PECVD)工艺,可用于多种材料和器件。

产品优点
  • 300mm单晶片处理能力,业界领先的批处理能力:20 x 2" , 8 x 3" , 4 x 4"
  • 选择单晶片/批处理或盒式进样,采用真空进样室。 该PlasmalabSystem133可以集成到一个集群系统中,采用中央机械手传送晶片,生产工艺中采用全片盒到片盒晶片传送.
  • 使用一系列的电极控制衬底温度,其温度范围为-150 ° C至700° C
  • 利用激光干涉和/或光发射谱的终点检测可安装在PlasmalabSystem133中以加强刻蚀控制
  • 可选的4、8或12路气箱为工艺流程和工艺气体提供了选择上的灵活性,并可以放置在远端,远离主要工艺设备

工艺
有关300mm和大批量应用的工艺细节请与我们联系,例如:

  • 高亮度LED:业界领先的批量生产性能:GaN\AlGaN和相关材料;蓝宝石和SiC衬底刻蚀
  • 300毫米SiO2, SiNx沉积
  • 类金刚石碳(DLC)的沉积和刻蚀

PlasmaPro System133 Image Gallery

PlasmaPro System133 closed

PlasmaPro System133 closed

PlasmaPro System133 with Hex Handler

PlasmaPro System133 with Hex Handler

PlasmaPro System133 PECVD, open with platen

PlasmaPro System133 PECVD, open with platen

PlasmaPro System133 PECVD, Open

PlasmaPro System133 PECVD, Open

设备支持

灵活的服务协议

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定制服务合同:选择适合您的选项。

工艺培训

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将在我们的专门培训基地教授工艺培训课程

系统用户维护培训

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设计用于提高系统维护技术,确保您有效地使用您的牛津仪器系统。