Nanofab系统工艺优势
  • 纳米管及纳米线的可控生长
  • 催化剂的等离子体预处理可改善生长条件
  • 退火温度高达800 °C
  • PECVD大面积薄膜沉积技术制备的薄膜具有非常好的均匀性、高的沉积速率以及薄膜特性(如折射率、应力、导电性及湿法刻蚀速率)可控