• 单一设备的灵活性
    可从-90 °到75 ° 倾斜的衬底支架(取决于配置)
    可使用‘blazed'光栅
    允许侧壁被清除掉或刻蚀
    衬底角度控制,提高靶材沉积的均匀性
  • 盘转速
    变盘转速使沉积速率可根据具体应用来控制
    可选择标准和高速盘
  • 衬底冷却
    防止衬底和设备结构的/在位的其他材料性能退化
    可选择采用He(涡轮泵)或Ar(冷泵)进行晶片背面冷却
  • 工艺监控
    SIMS监测刻蚀终点,用于多种材料的应用
    沉积过程监控
    -晶振监控(单或双头)
    -白光光学监控( WLOM )
    通过RGA进行反应室气体鉴别,分压控制和检漏