领先的离子源和栅网技术

  • 栅网特别设计,以适应具体应用:高均匀性,高速率,低能量
  • 多靶的特定的沉积栅网设计,以有效利用靶材
  • 可达35厘米的广泛的刻蚀源选择
  • 双束配置(刻蚀加沉积源)可以在刻蚀后立刻沉积盖层,而不会使反应室或者晶片暴露在大气中
  • 用刻蚀源作为等离子体基源(IASD)以提高沉积速率