The Ionfab ® 300Plus离子束刻蚀及沉积设备 

牛津仪器提供了一个设备,该设备有充分的灵活性进行刻蚀和/或沉积,并提高系统利用率。

系统规格可根据应用进行调节,从而实现更快的和可重复的工艺结果。

牛津仪器离子束可实现多种模式功能:

  • 离子束刻蚀(IBE)
  • 反应离子束刻蚀(RIBE)
  • 化学辅助离子束刻蚀( CAIBE )
  • 离子束溅射沉积( IBSD )
  • 离子辅助溅射沉积( IASD )
  • 牛津仪器的系统可从研发工具升级为批量生产设备。

衬底处理

单一设备的灵活性

  • 可处理从小样品,到100毫米(4英寸),直到200毫米(8英寸)的晶片
  • 能夹住任何形状,设计独特的传输托盘
  • 可选择的晶片传送办法
  • 一次性手动载入
  • 具有真空进样室,用于快速载入
  • 批量生产的片盒到片盒装载/卸载
  • 可与其他设备集成,包括牛津仪器的Plasmalab ®等离子刻蚀、沉积和溅射设备, FlexAL ®原子层沉积(ALD)设备
  • 简单的升级选项以添加刻蚀和沉积源

离子源

领先的离子源和栅网技术

  • 栅网特别设计,以适应具体应用:高均匀性,高速率,低能量
  • 多靶的特定的沉积栅网设计,以有效利用靶材
  • 可达35厘米的广泛的刻蚀源选择
  • 双束配置(刻蚀加沉积源)可以在刻蚀后立刻沉积盖层,而不会使反应室或者晶片暴露在大气中
  • 用刻蚀源作为等离子体基源(IASD)以提高沉积速率

工艺控制

  • 单一设备的灵活性
    可从-90 °到75 ° 倾斜的衬底支架(取决于配置)
    可使用‘blazed'光栅
    允许侧壁被清除掉或刻蚀
    衬底角度控制,提高靶材沉积的均匀性
  • 盘转速
    变盘转速使沉积速率可根据具体应用来控制
    可选择标准和高速盘
  • 衬底冷却
    防止衬底和设备结构的/在位的其他材料性能退化
    可选择采用He(涡轮泵)或Ar(冷泵)进行晶片背面冷却
  • 工艺监控
    SIMS监测刻蚀终点,用于多种材料的应用
    沉积过程监控
    -晶振监控(单或双头)
    -白光光学监控( WLOM )
    通过RGA进行反应室气体鉴别,分压控制和检漏

 

应用

典型的应用和材料:

  • 红外探测器
  • CdHgTe (CMT )刻蚀
  • 氧化钒沉积和刻蚀
  • 金属接触和跟踪刻蚀
  • 铜,镍,铝...
  • 贵金属:金,铂,钯...
  • 衍射光栅
  • SiO2 '闪耀'刻蚀
  • 自旋电子元件和的MRAM
  • 激光棒的AR和HR涂层
  • 电信滤波器
  • III - V族光子刻蚀
  • 薄膜磁性硬盘头( TFMH )

Ionfab300Plus Image Gallery

Ionfab 300Plus Internal view

Ionfab 300Plus Internal view

Ionfab 300Plus External view

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Ionfab300Plus Control Panel

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设备支持

Spares

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原装的牛津仪器备件

灵活的服务协议

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定制服务合同:选择适合您的选项。

工艺培训

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将在我们的专门培训基地教授工艺培训课程

预防性维护上门服务

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为了使您的系统保持达到高标准,必须执行年度维护。

系统用户维护培训

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设计用于提高系统维护技术,确保您有效地使用您的牛津仪器系统。

预购服务基金

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我们的预购服务基金可为您增加10%的购买力。

修理

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我们的修理服务对电气和电子模件特别有益。

更换

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