生长Si纳米线—生长硅纳米线

• 高变温速率使得在不同温度下进行的退火和不同工艺步骤被控制在一个合理的时限内。
• 等离子体使得催化剂薄膜形成岛状,而如果没有等离子体,在相同温度下则不能形成。
• 等离子体可以使催化剂被更好的激活,从而导致更大的生长速率,同时由于更多位置的催化剂被激活,管的密度也可以更高。
• 等离子体能够在位刻蚀本征氧化物来促进外延生长

技术:

• 平行班反应室
• 喷淋头进气口
• 温度范围:350-600oC
• 垂直生长速率最高可达150纳米/分钟
• 无论是否采用等离子体,均可生长碳纳米管