技术

• 氦气背面冷却
• 室温工艺
• 单步工艺

结果

• 速率:0.5微米/分钟
• 均匀性:4英寸晶片内公差小于+ 1%
• 垂直侧壁
• 光滑的表面
• 对光刻胶的选择比大于8:1
• 对二氧化硅的选择比大于20:1

 

 

 

 


   

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