•刻蚀直径0.75微米的孔到底
• 刻蚀停止在SiO2层
• 刻蚀速率50-100 纳米/分钟
• 均匀性:6英寸晶片内公差+/- 4 %
• 各向异性的外形
• 基于溴化氢的工艺
• 刻蚀深度最大到10微米,纵横比5:1