使用PlasmaProTM System100 ICP380 和PlasmaPro System100 ICP380刻蚀聚酰亚胺的技术

 

刻蚀气体

O2, N2

等离子体清洁气体

O2, SF6

晶片尺寸

  • ICP380: 最大200mm晶片
  • ICP180: 最大100mm晶片

刻蚀速率    

>1µm/min

均匀性

< ± 5% (7mm剔除边缘)

重复性

< ± 3 % (不同批次)

 

工艺特点
  • 该工艺可以对聚酰亚胺进行各向异性刻蚀得到光滑的侧壁,刻蚀深度可以从100nm到50µm以上。
  • 该工艺对样品几乎无污染,所以清洁周期可以很长。
  • 可以使用激光干涉仪对深度进行自动控制,精度达到±0.25µm。