BCB被用于各种应用,包括制造砷化镓集成电路,砷化镓芯片的植球和连线重排,以及平板显示中的平整化和绝缘。同时,由于它具有低介电常数,在电子工业的许多应用中被用作电介质材料。

典型地,采用氟和氧气的混合气刻蚀它。

• 感应耦合等离子体
• 氦气背面冷却

结果:

• 刻蚀速率近似200纳米/分钟
• 6英寸晶片内均匀性公差小于±2.5 %

 

 

  PlasmaPro100 ICP180 PlasmaPro100 ICP380
Etch rate: > 200nm/min > 200nm/min
Uniformity: < ± 2.5 % < ± 2.5 %
Selectivity to PR: > 0.5:1 > 0.8:1
Selectivity to oxide: > 4:1 > 4:1
Selectivity to Al: > 30:1 > 30:1
Wafer size: Up to 100mm Up to 200mm