电感耦合等离子体源

  •  ICP 65适用于最大为2英寸的晶圆
  •  ICP 180适用于最大为100mm的晶圆
  •  ICP 380适用于最大为200mm的晶圆
  •  更小尺寸的晶圆均可以适用以上设备进行刻蚀
  •  ICP刻蚀使用了反应离子束刻蚀(RIE)中的偏压和温控晶圆电极
  •  使用含氟气体的处理工艺


 

  PlasmaPro NGP80 ICP65 PlasmaPro100 ICP180 PlasmaPro100 ICP380
Etch rate: > 200nm/min > 200nm/min > 200nm/min
Uniformity: < ± 5 % < ± 5 % < ± 5 %
Selectivity to PR: > 1:1 > 1:1 > 1:1
Wafer size: Up to 2" Up to 100mm Up to 200mm