• 感应耦合等离子体源
• 氦气背面冷却可以控制整个晶片的温度非常均匀
• 基于F的工艺使得侧壁没有聚合物

结果:

• 速率:50-200 纳米/分钟
• 均匀性:小于+/- 3 %
• 通过调节氧气和温度可以控制侧壁倾角
• 对铬掩模的选择比大于20:1
• 对光刻胶掩模的选择比大约5:1
• 对二氧化硅掩模的的选择比为10:1

  PlasmaPro100 ICP180 PlasmaPro100 ICP380
Etch rate: > 100 nm/min > 100 nm/min
Uniformity: < ± 5 % < ± 5 %
Selectivity to PR: > 3:1 > 3:1
Selectivity to SiO2: > 6:1 > 6:1
Wafer size: Up to 100mm Up to 200mm

   
    
    
    

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