感应耦合等离子体--反应离子刻蚀

• 基于氯气的工艺
• 各向异性的刻蚀
• 速率大于60纳米/分钟
• 对电子书曝光胶的选择比大于2:1
• 对氧化铝掩模的选择比大于16:1
• 对它下面的氮化硅或碳化硅层具有很高的选择比(用于SiN或SiC薄膜上方的X射线掩模吸收层)
• 4英寸直径范围内均匀性公差小于+/- 4 %
• 小于40伏自偏压时刻蚀损伤低

   
    
    

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