Platinum (Pt) ICP Etching

Pt >10 nm/ min (使用Ar溅射刻蚀的反应离子束刻蚀)

Pt >50 nm/ min (使用Ar溅射刻蚀的电感耦合等离子体刻蚀)

  • 光学掩模的选择性1:1(RIE)
  • RIE的均匀性(12片晶圆批处理) < +/- 7 %
  • RIE或ICP 的均匀性
  • (单个晶圆4英寸或 6英寸) < +/- 4 /5 %

对某些(要求较低的)应用,离子束系统中的平行板式反应器("RIE”)是一个很好的选择,可以得到更好的吞吐量成本比。

 

Platinum (Pt) Ion Beam Etching

铂金(Pt)离子束刻蚀 (IBE)

工艺规范

  • 使用Ionfab300Plus (大反应腔) 进行铂金离子束刻蚀
  • 处理气体:Ar
  • 处理的晶圆直径最大为200mm
  • 详细请见英文网站