ICP 感应耦合等离子体

• 采用光刻胶作掩模,刻蚀速率150纳米/分钟
• 对它下面的二氧化硅层的选择比大于10:1
• 各向异性的外形
• 100mm直径范围内均匀性公差+/- 3 %

RIE 反应离子刻蚀

• 采用光刻胶作掩模,氦气冷却,刻蚀速率70纳米/分钟
• 对光刻胶掩模的选择比是1.1:1
• 对于它下面的二氧化硅层的选择比是2.2:1
• 各项异性的外形
• 100mm直径范围内均匀性公差+/- 3 %