Chromium (Cr) ICP Etching

使用PlasmaProTMSystem100 ICP180对铬(Cr)进行ICP刻蚀的技术

 

推荐刻蚀气体

Cl2, O2, He

推荐等离子体清洁气体

O2

晶片尺寸

最大200mm

铬刻蚀速率

>15nm/min

均匀性

< ± 5% (直径200mm的晶片剔除边缘10mm)

 

工艺特点
  • Cl2-O2-He的化学特性恰好可以满足刻蚀的副产品挥发以及侧壁钝化的要求。由此可以制备得到光滑、低损害的刻蚀轮廓。
  • 不同批次间刻蚀速率和轮廓控制的重复性非常优异。

相关工艺技术