反应离子刻蚀技术采用氩气溅射刻蚀金的速率大于40纳米/分钟

感应耦合等离子体采用氩气溅射刻蚀金的速率大于120纳米/分钟

  • 反应离子刻蚀中,对光刻胶的选择比大约1:1
  • 反应离子刻蚀中,一批12片的均匀性公差小于+/- 7 %
  • 反应离子刻蚀或者感应耦合等离子体刻蚀中,单片4/6英寸片内均匀性公差小于+/- 4 /5 %

对于一些要求不高的应用,平行板反应室(反应离子刻蚀)是一种首选的离子束系统,因为它具有更好的产量/成本比。