使用PlasmaPro System133 RIE 刻蚀SiC的技术
  • 推荐刻蚀气体:NF3-N2O-Ar
  • 推荐等离子体清洁气体:O2
  • 批处理数量可达20 x 2", 5 x 100mm

 

刻蚀速率

> 100nm/min

均匀性

晶片内部

< +/- 3%

(边缘剔除,2 inch - 5mm, 100mm - 7mm)

不同晶片间

< +/- 5%