碳化硅的性质包括宽禁带,高导热率,大的击穿场强,高饱和电子漂移速度以及能够承受极端恶劣的环境变化,这使它成为制作电子器件和微机电系统的一个很好的选择。 不同品质等级的碳化硅都表现出强大的化学键强度以致需要高离子束流来打断。

蚀刻碳化硅使用的典型的化学气体是CF4 , SF6,或者是通常混入氩气或氧气的氯气。

  • 速率:近似100纳米/分钟
  • 均匀性:4英寸晶片内公差<= ± 3.5 %
  • 对光刻胶的选择比1:1
  • 各项异性刻蚀

 

 

Silicon Carbide (SiC) ICP Etching

Smooth anisotropic Silicon Carbide (SiC) ICP Etching

SEM shows typical SiC features etched with the metal masked ICP etch process




 

 

Process Specification

  ICP180 (PlasmaPro100) ICP380 (PlasmaPro100)
Etch rate: >300nm/min >1µm/min
Uniformity: < ± 5 % < ± 5 %
Selectivity to Al: > 7:1 > 25:1
Selectivity to Ni: - > 35:1
Wafer size: Up to 100mm Up to 200mm





 

Silicon Carbide (SiC) RIE

使用PlasmaPro System133 RIE 刻蚀SiC的技术
  • 推荐刻蚀气体:NF3-N2O-Ar
  • 推荐等离子体清洁气体:O2
  • 批处理数量可达20 x 2", 5 x 100mm

 

刻蚀速率

> 100nm/min

均匀性

晶片内部

< +/- 3%

(边缘剔除,2 inch - 5mm, 100mm - 7mm)

不同晶片间

< +/- 5%

 

 

相关工艺技术