反应离子刻蚀:

• 各向异性刻蚀
• 近似20纳米/分钟
• 对光刻机掩模的选择比大于1:1
• 对位于下方的铂层的选择比大于50:1
• 均匀性:100mm直径晶片内公差± 3 %

感应耦合等离子体-反应离子刻蚀:

• 各向异性刻蚀
• 60-180纳米/分钟
• 对光刻胶掩模的选择比大于0.5
• 均匀性:100mm直径晶片内公差± 3 %

在刻蚀PZT和Pt的过程中,可以采用多步骤的工艺来获得垂直的侧壁和近似固定的蚀刻速率。为了使得刻蚀停止在Pt层,可以优化刻蚀PZT的工艺来获得对Pt的高选择比(大于50:1)结束点的检测的可以采用光发射或激光干涉进行。