技术:

• 平行板构造
• 反应离子刻蚀(RIE)
• 13兆赫兹等离子体激励

结果:

• 速率:50-100纳米/分钟
• 掩模:光刻胶
• 均匀性:75mm直径片内公差+/ - 5%
• 选择比:2-5:1
• 外形:各向异性、轻微的粗糙