技术:

• 平行板系统
• 冷却的基板电极
• 13.56兆赫兹等离子体激励

结果:

• 速率:大约3纳米/分钟
• 对钛掩模的选择比大约20:1
• 光滑的底部

(本速率可以通过增加转移到铌酸锂上的掩模面而提高)

 

 

 

 

Process specification:

  ICP180 (PlasmaPro100) ICP380 (PlasmaPro100)
Etch rate: > 50nm/min > 50nm/min
Uniformity: < ± 5 % < ± 5 %
Selectivity to Cr: > 5:1 > 5:1
Selectivity to PR: > 1:1 > 1:1
Wafer size: Up to 100mm Up to 150mm