电感耦合等离子体源

  • ICP 65 可以处理最大2"的晶片
  • ICP 180可以处理最大100mm的晶片
  • ICP 380可以处理最大200mm的晶片
  • 各个系统都适用于处理小尺寸的晶片
  • 基于RIE的ICP刻蚀以及晶片电极可以对温度进行调节
  • 使用氯气工艺
  • GST(Ge2Sb2Te5)是一种相移记忆材料

 

结果:

  • 刻蚀速率:150nm/min
  • 光刻胶掩模刻蚀选择比:>2:1
  • 对SiO2刻蚀选择比:>3:1
  • 均匀性:<±5%(200mm晶片)
  • 侧面:各向异性