使用Ionfab300Plus (LC)对Al2O3 进行离子束刻蚀的技术

  • 刻蚀气体:Ar, CHF3, O2
  • 晶片直径最大200mm
  • 性能参数总结:

处理室基本气压a

 <3e-7 Torr

 进样基本气压b

 <1e-5 Torr

                                                                

a. 经12小时80°C的烘烤。
b. 进样泵在3分钟内下降到6E-5Torr。样品装载时间小于5分钟,也就是从进样到处理托盘的进样泵气压下降的时间。

 

工艺参数

1. 衬底旋转和倾斜的Al2O3刻蚀。

 

参数/工艺

Al2O3 刻蚀

刻蚀直径

200 mm

掩模

光刻胶

反应气体

Ar+ CHF3+O2

典型刻蚀速率[nm/min] 

10nm/min

均匀性[±%]3

<3

重复性[±%]

<3

对掩模的刻蚀选择比

>1

 
附注:

1. 需要对处理室进行常规的清洁和调节,有时需要对处理室进行清洗。

2. 宽边和窄边的刻蚀速率、选择性及成型有时会出现差异,以上给出的数据是基于宽边情形的。

3. 掩模如果没有特别说明,一般是使用光刻胶。

4. 轮廓数据要求原始掩模的轮廓>85°