刻蚀GaAs/AlGaAs—刻蚀砷化镓/砷化铝镓

使用PlasmaProTMSystemRIE100 刻蚀GaAs/AlGaAs

  • 推荐刻蚀气体:SiCl4-Ar
  • 推荐使用的等离子体清洁气体:O2-SF6
  • 晶片最大直径200mm

  刻蚀速率

50-150nm/min (依赖与批处理的数量)

 均匀性

< ± 5 % (对于2英寸的晶片来说, 要剔除5mm边缘)

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