技术

• 采用感应耦合等离子体源(2或13兆赫兹)进行反应离子刻蚀
• 感应耦合等离子体
• 射频驱动基板电极

 

 

 

 

 

技术指标

  PlasmaPro 100 ICP180 PlasmaPro 100 ICP380
Etch Rate: > 1000nm/min > 1000nm/min
Selectivity to PR: ~ 3.5:1 ~ 3.5:1
Uniformity: < ± 5% < ± 4%
Wafer size: Up to 100mm Up to 100mm