感应耦合等离子体刻蚀

• 采用感应耦合等离子体源进行感应离子刻蚀(2 or 13.56 MHz)
• 感应耦合等离子体
• 13.56兆赫兹等离子体激励
• 工艺气体:基于氯气
• 射频驱动基板电极
• 速率:采用SiO2掩模时0.5-1 微米/分钟
• 采用光刻胶掩模时0.3微米/分钟
• 对SiO2选择比为5-10:1,对光刻胶选择比为1.15:1
• 各向异性的外形
• 清洁的刻蚀表面
• 低的离子引起的损伤

刻蚀氮化镓:具有光滑侧壁的反应离子刻蚀

• 具有90oC侧壁的各向异性刻蚀
• 速率:70 纳米/分钟(2英寸)
• 掩模:光刻胶
• 光滑90oC侧壁的选择比2:1
• 2英寸直径范围内的均匀性:公差小于+/- 3 %
• 非常光滑的侧壁

相关工艺技术