低压化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉积多晶硅


技术:

• 平行板反应室
• 喷淋头进气口
• 基于硅烷的工艺

结果:

• 在650oC下低压化学气相沉积多晶硅
• 速率40纳米/分钟
• 均匀性:100mm直径晶片内公差小于+/-2 %
• 对刚沉积的薄膜进行X射线衍射和拉曼分析可以证明薄膜具有结晶

性质:

晶粒尺寸大于100nm,结晶度大于80%
• 多晶硅薄膜倾向于沿<110>方向生长,结晶化沿<111>方向