Indium Tin Oxide (ITO) Deposition

ITO的溅射沉积技术

工艺参数

 

沉积速率

> 30nm min1 (旋转关)

> 2nm min1 (旋转开)

折射率

1.95 - 2.10

膜厚均匀性

100mm

< ± 3% (旋转开)

< ± 5% (旋转关)

150mm

< ± 5% (旋转开)

< ± 15% (旋转关)

1. 均匀性定义:+ [(最大值-最小值)/(2´平均值)] ´100%

2. 6mm剔除区

3. 使用200mm的磁电管

4. 厚度和均匀性的测量是基于硅衬底进行的

需要更详细的工艺参数请联系我们索取

工艺优势
  • 可以方便地控制薄膜的成分
  • 降低表面粗糙度
  • 降低电阻率
  • 对可见光和近红外线透射率高
磁控溅射制备ITO的应用
  • 太阳能电池
  • 触摸屏
  • 液晶显示(LCD)和电致变色的电极
  • 电磁屏蔽
  • 抗静电镀层