使用 OpALTM进行氧化铝(Al2O3)等离子体和热原子层沉积(ALD)       

工艺优势:

  • 因使用O2等离子体,原子沉积的温度可以低到25 ºC,使用热H2O 工艺法是无法做到的。
  • 真正的ALD行为自限
  • 工艺具有高重复性
  • 薄膜沉积保形性非常好

使用离子束溅射沉积/反应离子束溅射沉积(IBD/RIBD)技术沉积氧化铝(Al2O3)薄膜

Ionfab 300Plus
使用Ionfab300Plus (LC)进行Al2O3的IBD/RIBD

工艺参数

  • 预清洁:35cm的源可以对最大200mm的衬底进行预清洁
  • 沉积气体:Ar, O2
  • 最大直径200mm的晶片

使用Optofab3000进行Al2O3薄膜反应离子束溅射沉积

工艺参数

  • 沉积气体:Ar, O2
  • 最大直径200mm的晶片