使用反应离子束溅射沉积(RIBD)技术沉积氮化硅(Si3N4)

工艺参数
  • 在Ionfab300Plus (LC)中进行Si3N4的RIBD沉积
    预清洁:35cm的源可以对最大200mm的衬底进行预清洁
  • 沉积用气体:Ar,N2
  • 最大直径200mm的晶片
性能参数总结:  

 处理室基本气压a

<3e-7 Torr 

 进样基本气压b

<1e-5 Torr

a. 经12小时80°C的烘烤。
b. 进样泵在3分钟内下降到6E-5Torr。样品装载时间小于5分钟,也就是从进样到处理托盘的进样泵气压下降的时间。

工艺参数
1. 衬底旋转和倾斜的Si3N4 沉积。 

参数/工艺

Si3N4 沉积

靶(尺寸=200mm)

Si3N4

反应气体

Ar+N2

沉积速率[nm/min]

0.5到4nm/min

8”晶片的均匀性[±%]1, 2

<±2%

重复性[±%]

<±3

应力(压缩)2

<500MPa

注释:
1. 边缘5mm范围除外
2. 在沉积速率为最大值的50%以下时可以保证应力和均匀性的结果