PECVD of Silicon Nitride
  • 速率:5-100 纳米/分钟
  • 在6英寸晶片上良好的均匀性
  • 折射率可在1.77至2.54范围内调整

PECVD of SiN - Ammonia free

  • 沉积速率一般为7-12 纳米/分钟
  • 折射率2.0
  • 折射率变化(十字工作台)小于± 1%
  • 折射率变化(每次工艺过程之间)小于± 1%