等离子体化学气相沉积(PECVD)
Key features 主要特点

  1. 射频驱动(兆赫兹和/或千赫兹)的顶电极;底(衬底)电极上没有射频偏压
  2. 衬底直接置于加热电极上
  3. 气体通过顶电极上的喷淋头式进气口进入反应室
  4. 工作压强0.5-1.0托
  5. 功率密度0.02-0.1Wcm-2

Benefits 优点

  1. 和传统的化学气相沉积相比工艺温度更低
  2. 通过高/低频混合技术可以控制薄膜应力
  3. 具有结束点控制的等离子体干法清洗工艺减少或杜绝了物理/化学清洗反应室的需要
  4. 通过工艺条件来控制化学计量
  5. 提供广泛的材料沉积,包括:氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的沉积,它们广泛应用于光子结构、钝化、硬膜等。
  6. 非晶硅(a-Si:H)
  7. 具有保形台阶覆盖或无空隙良好台阶覆盖的正硅酸乙酯二氧化硅
  8. SiC 碳化硅
  9. 类金刚石膜