牛津仪器的ICP CVD工具

感应耦合等离子体-化学气相沉积(ICP-CVD)

主要特点
1. 离子能量和离子电流密度分别控制
2. 典型的工艺压强:1-10 毫托
3. 等离子体密度:大约5×1011/cm2
4. 等离子体和衬底相接触
5. 沉积过程中离子电流的能量低
6. 离子电流(等离子体密度)取决于ICP的功率
7. ESS(静电屏蔽)功能做到真正的感应耦合

典型应用:
1. 面向剥离技术的低温沉积
2. 低温沉积超高质量二氧化硅
3. 低温沉积多晶硅
4. ICP是完全自动匹配(2个射频自动匹配单元)