CCD&sCMOS传感器

iStar系列产品提供多种高分辨率的传感器以获得最清晰的图像和光谱特性,同时具有最高的动态范围。
 
iStar采用光纤锥直接耦合像增强器,以保证最大的搜集效率,这与透镜耦合受制于更低的通光量、成像晕影与变形不同。
 
型号 iStar CCD 312 iStar CCD 320 iStar CCD 334 iStar CCD 340
iStar sCMOS
像素矩阵 512 x 512 1024 x 256
1024 x 1024
2014 x 512
2560 x 2160
像素大小 24 26 13 13.5
6.5
 
高空间/光谱分辨率 - -
快速成像 - - -
高频光谱 -
窄带光谱
同时宽频光谱 - - -
延展多通道 - -

 

门控

一体式时间延时控制器
 
最新一代极低抖动,极短插入延时电路保证传感器的时间精度,像增强器门控和外部硬件保持同步。
  • 门宽和步长设置,10ps精度
  • 3路外触发信号,10ps精度
最先进门控技术-极快光阴极快门
  • <2ns真实光学快门,精准瞬态研究
  • MCP在UV波段提高通断比。
  • 500kHz 连续光阴极重复频率 – 高重复频率实验下最大化信噪比

 

像增强探测器

ICCD的响应受限于像管的量子效率,跟窗口和光阴极都有关。入射窗口一般决定短波长的透过率而光阴极决定了长波的响应。
 
Andor iStar产品选用最新的,市场领先的GenII, GenIII像增强器,响应速度快,分辨率高,门宽低至纳秒级别,相应覆盖VUV(129nm)-短波红外(1100nm),量子效率最高达50%。
 
光电阴极       种类 范围 QE峰值(typ) 最低门控速度 建议
-3 Gen 2

180 - 850 nm 

18% < 2 ns

等离子体成像,LIBS,瞬态荧光/吸收,燃烧(LIF,PLIF)

-4 Gen 2 180 - 850 nm         18% < 2 ns 超快动力学选用P46
-5 Gen 2 120 - 850 nm 16% < 5 ns
VUV选用MgF2光窗
-13 Gen 2 180 - 920 nm 13.5% < 50 ns NIR瞬态光致发光
-63     Gen 3 280 - 760 nm 48% < 2 ns 在VIS波段最佳的瞬态荧光,等离子体研究和光子计数研究
-73 Gen3 280 - 910 nm 26% < 2 ns
在VIS-IR波段最佳的瞬态荧光,等离子体研究和光子计数研究
-83 Gen 2 180 - 850 nm 25% < 100 ns UV波段最大效率
-93 Gen 3 180 - 850 nm 4% < 3 ns NIR-IR瞬态光致发光
-A3
Gen 3 280 - 810 nm 40% < 2 ns 在VIS-NIR波段最佳的瞬态荧光,等离子体研究和光子计数研究
-C3 Gen 3 < 200 - 910 nm           17% < 3 ns UV-NIR宽范围的瞬态荧光和等离子体研究
-E3 Gen 2 120 - 850 nm 22% < 2 ns 结合高QE,UV响应,ns门宽特点:适合LIBS,瞬态荧光和吸收,等离子体研究,燃烧(LIF/PLIF)