全新Asylum Research AFM配件在原位外加面/面内磁场条件下实现领先磁学研究
2018年8月3日

VFM-Skyrmions-1000x426-wrap-d9191b66b7101091ff4b947c1f8e1757-(3).png2018年7月24日(圣巴巴拉,CA)在纳米尺度上的磁特性解读和表征是开发下一代数据存储和逻辑元件的关键挑战之一。Asylum Research MFP-3D原子力显微镜配件的全新原位外加可变磁场模块(VFM4)能够在不需移动样品的情况下,原位的施加平面内(水平)和面外(垂直)磁场进行MFM测量,以便更好地理解外加磁场对纳米级磁畴结构的影响。VFM4能够将程序可变的面内(±8000G)或平面外(±1200G)磁场施加到样品上,并达到1G的磁场调节分辨率。了解更多关于VFM4的信息和最新研究的结果,请参见http://afm.oxinst.com/VFM4.。

“最新发布的VFM4功能已经在斯格明子(skyrmions)方向的研究中,成功替代了昂贵且耗时的扫描X射线透射显微镜(SXTM)技术。 产品总监Maarten Rutgers博士说。 “没有其他AFM商业解决方案能够具备如此多功能,并且易于使用的磁学研究的能力。虽然传统上VFM4被用于磁力显微镜(MFM)实验,但它也可以与诸如导电力显微镜(CAFM)、压电力显微镜(PFM)的技术和广泛的各种样品,包括压电材料和铁电材料等。

VFM4可以方便的连接到Asylum Research MFP 3D 系列原子力显微镜上,其包括平面内和平面外磁场的配件。VFM4的设计中使用了不产生热量、热漂移或机械振动的稀土永磁体来维持稳定可变磁场。对于需要同时施加磁场和高电压的实验,可选配高压成套工具来适应VFM4,以便安全地施加电压至±220V或±150V。

图片说明:在垂直外加变化磁场下的Co基薄膜中斯格明子(skyrmions)结构。图片由K. Bouzehouane, Unité Mixte de Physique CNRS, Thales, Univ. Paris-Sud, Université Paris-Saclay France 提供。

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