牛津仪器等离子RIE设备刻蚀InP/InGaAs 3μm深度获得优异形貌
2017年1月18日

 
武汉光安伦光电技术有限公司是目前国内光通信行业领先的专业独立从事光电子芯片外延生长、芯片设计与制作、封装设计、工艺开发的生产厂家,产品主要应用于光纤通讯以及光纤传感领域。长期与国内外大学和科研院所等机构展开技术合作,立足于2.5G以及10G光收发芯片的稳定供应的同时,跟踪高速芯片的技术前沿。目前在高速光芯片领域拥有多项发明专利,为客户提供高性价比的产品和服务。
 
武汉光安伦光电技术有限公司使用牛津仪器等离子RIE设备在无高温工艺条件下刻蚀硬掩模图案,再用硬掩模刻蚀铟磷做光电子材料。工艺中使用材料有一定碳成分,会产生聚合物,对形貌有影响。牛津仪器等离子设备帮助其解决这一问题。
 
设备使用过程中,客户借由低温多次循环刻蚀方式解决了InP/InGaAs的深刻蚀挑战,同时保证了片内刻蚀均匀性,以优异的形貌达到片内整体均匀性3%的需求,最终刻蚀出85o左右斜角侧壁。通过调整气体流量,后分解离化得到基团,从而得到合格形貌来生产电子器件。
 
武汉光安伦光电技术有限公司刘志锋先生说道:“牛津仪器设备性能良好,操作简单,在刻蚀速率不一样的情况下仍能表现稳定,刻蚀深度与设置情况基本一致,同时几乎不会产生聚合物。”
武汉光安伦光电技术有限公司 刘志锋

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