牛津仪器发布多用途二硫化钼生长工艺
2016年7月15日

作为全球领先的工艺解决方案的提供商,牛津仪器近日发布了采用高性能纳米级生长系统Nanofab 来生长二硫化钼的工艺。单层二硫化钼是一种直接带隙半导体,被广泛应用于光电学,例如:发光二极管,太阳能光伏,光电探测器,以及生物传感器,而多层二硫化钼是一种引领未来趋势的非直接带隙半导体的数字电子技术。

牛津仪器的专家们广泛研究并优化了CVD工艺,开发了配备前体交付模块的Nanofab系统,使多种液体、固体、金属有机前体适用于二维材料生长。系统可在多种基材(包括蓝宝石和ALD氧化铝(Al2O3 和SiO2) ) 上进行其他二维过渡金属硫化物(例如二硫化钨,二硒化钼等)的沉积。

“这项工艺的研发成功及其卓越的表现相当令人振奋,我们也因此进入了采用Nanofab等离子工艺系统处理二维材料工艺的新纪元。”牛津仪器等离子技术市场战略和业务拓展总监Frazer Anderson评价道,“拉曼分析可验证高质量单层膜,同时通过原子力显微镜显示其平滑和均匀性。我们预计二维材料生长方面技术新发现将促进下一代纳米电子器件的产生。”

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牛津仪器将继续以支持中国科学研究发展为己任,为中国广大科研人员提供高性能、高可靠性的等离子体设备、原子层沉积设备等;同时牛津仪器的服务团队也可以为用户提供系列服务套餐,包括配件和耗材、延保合同、产品培训、服务维修和技术支持等。
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