牛津仪器纳米级等离子体工艺研讨会在京召开
2013年5月21日

2013 年5 月14 日,由牛津仪器等离子技术公司主办的“牛津仪器纳米级等离子工艺研讨会”在北京举行,来自广大企业及科研院所的160余名用户参加了此次会议。

会议就微纳米技术在科研领域的新发展、未来的加工趋势、微纳米结构及器件应用等内容进行了探讨和交流。

牛津仪器商务发展总监Frazer Anderson先生首先介绍了牛津仪器及牛津仪器等离子体技术公司的基本情况。牛津仪器的业务主要分为纳米分析部、工业分析部和服务三大部分。其业务收入目前38%来自亚洲、32%来自欧洲、北美占27%,其他区域占3%。

牛津仪器等离子体技术公司属于纳米分析部,作为等离子体与沉积处理系统的领先供应商,成立于1982年,拥有超过30年的工艺经验,超过6000件的工艺库,能刻蚀、沉积或使用元素周期表中50%以上的自然界元素。应用领域包括高亮度发光二极管(HBLED)、微机电系统MEMS、第三代光伏发电及下一代半导体技术等。拥有遍布全球的销售服务网络,并在英国、德国、中国、美国、日本、新加坡等设立了分公司与办事机构。

中科院半导体所半导体集成技术研究中心主任杨富华教授介绍了中科院半导体所、半导体技术研究中心、纳米技术在中科院半导体所的应用、半导体所采用的牛津仪器等离子体技术公司的产品使用情况等。他表示举办这样的交流会对于科研人员更好的了解相关领域的前沿动态及技术交流很有帮助。等离子体技术对于未来的科研工作非常重要,我们的研究人员一定要懂得仪器的使用原理,更好的操作仪器,获取出色的研究成果。同时他提出对于仪器公司来说,要想提高在中国的市场占有率,需要在仪器质量、价格、服务及技术打包方案等方面做更多的关注。

牛津仪器MEMS首席工艺科学家 Mark McNie先生在报告中主要介绍了深硅刻蚀和低温纳米刻蚀技术在微机电系统(MEMS)中的应用。目前微机电系统的主要应用领域包括微机械、微流体、传感器及生物医药等领域。其发展趋势主要在于一体化和复杂化。

台湾工研院微系统技术中心经理 Dr.Lin Ching-Yuan在报告中指出微机电系统(MEMS)的市场规模到2017年将达到210亿美元,其2011年的市场规模为102亿美元,年均复合增长率将达到13%。未来在消费品和生物应用领域将发挥重要的角色,晶圆级的组合结构设计、3D一体化设计将成为MEMS的发展趋势,MEMS技术在半导体及移动电话领域的应用需求依然强劲。

牛津仪器首席技术官 Dr. Mike Cooke介绍了ALD(Atomic layer deposition)原子层沉积系统及其应用。ALD是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层地镀在基底表面的方法,该技术作为一种先进的薄膜生长技术,已经在高介电和半导体薄膜生长等多方面得到了应用。新型高介电栅介质材料,纳米材料和纳米技术以及3D电子器件等是推动ALD发展重要的需求动力。

另外,此次交流会中Mike Cooke博士还就纳米薄膜加工工艺面临的问题及解决方案作了介绍。

牛津仪器III-V族刻蚀应用首席工艺科学家邓力刚博士在报告中介绍了激光干涉、光谱发射技术在III-V族刻蚀中的应用,这两种技术均可以很好的用于刻蚀监测及控制刻蚀深度。III-V 族刻蚀工艺优化中应注意了解材料特点,保持腔体干净,另外好的掩膜对于获取良好的刻蚀结果也十分重要。

牛津仪器HBLED产品经理 Dr.Mark Dineen介绍说PlasmaPro 1000 Astrea刻蚀设备,可以为PSS, GaN 和AlGaInP提供大批量刻蚀提供解决方案。牛津仪器在高亮度发光二极管(HBLED)产业中已具备15年以上的供应设备经验, HBLED制造业要求高产量、高性能和低使用者成本, PlasmaPro1000 Astrea大批量刻蚀设备完全符合以上要求。

牛津仪器Ion Beam产品经理梁杰荣博士介绍说,Ion Beam(离子束)技术可广泛的用于金属、氧化物和半导体的刻蚀与沉积。随着离子源栅网设计技术的持续改进,将使离子束技术更好的用于纳米结构的精细刻蚀。高离子能量及低压操作将为高质量的光学涂层和金属沉积提供理想的环境。

中科院半导体所王晓东教授介绍了Ion Beam Optofab3000 离子束沉积的应用情况。Optofab3000型离子束溅射系统的离子束能量可达几十至1000eV,被溅射出的原子带有10-20eV的能量,比蒸发镀膜高约100倍,薄膜的粘附性及致密度显著提高,靶材的表面原子逐层被撞出来,薄膜以原子层级生长,均匀性好。

会议中,与会人员在听取报告后,还就自己感兴趣的问题同专家进行了沟通和交流。现场还特别设置了墙报展,各位专家分别将自己的研究内容同与会人员就行了探讨。

牛津仪器纳米级等离子体工艺研讨会在京召开