牛津仪器将在北京和台湾举办纳米级等离子工艺研讨会
2013年4月11日

基于前两年研讨会的成功经验,牛津仪器作为等离子刻蚀沉积工艺的领先供应商,将在北京和台湾举办纳米级等离子工艺研讨会。

研讨会将于5月14日在北京举办, 5月16日在台湾举办,届时牛津仪器国外应用专家及国内知名机构的用户将出席并发言。

本次研讨会的主题包括,

  • Developments in ALD
  • MEMS Deep Silicon Etch & Nano Cryo Etch
  • III-V Etching
  • GaN, Sapphire, AlGaInP Etch
  • Ion Beam developments in etch and deposition
  • 3D device packaging
  • HBLED production
  • 更多的主题将进一步确认

中科院半导体研究所杨博士对即将在北京举行的研讨会十分感兴趣,评价道:“两年前我们曾与牛津仪器共同成功举办过此类研讨会,当时有一百多位人士参加,会议相当成功。在会议上,来自国内外的专家们阐述了多个领域的先进技术和工艺,并且安排了充足面对面交流的时间。这样的研讨会对于新技术、新工艺的研发和推广很有帮助。”

牛津仪器等离子部亚太区销售经理Jeffrey SEAH将为研讨会致开幕词,他评价道:“我们的研讨会旨在为等离子工艺同行提供一个相互交流学习的机会,这两站我们邀请到了行业内的知名专家出席并演讲,在此真诚地期待大家的光临。”

基于前两次北京和上海研讨会的成功经验,牛津仪器热切地期待工业界和学业界对微纳米等离子技术发展趋势感兴趣的同行们参加此次研讨会。

参加此次研讨会是免费的,但是必须提前预定,请发邮件至lingling.wang@oxinst.com (北京研讨会)

Maggie.tsai@oxinst.com (台湾研讨会)