LED生长在单极性氮化镓晶片上
2010年12月22日

作为牛津仪器集团一份子的Ostendo Technologies公司(Ostendo)和技术和设备国际公司(TDI),很高兴地宣布,"LED的结构生长在单极性(11-22)氮化镓晶片上的增长已超过2.5倍。"

于2008年,Ostendo和TDI已经与Palo Alto研究中心(PARC)协议信息交换,据此他们同意LED结构生长在Palo Alto研究中心提供的单极性氮化镓晶片和激光二极管晶片,并独立验证并报告所取得的成果。作为其验证的一部分,Palo Alto研究中心已经使MQW LED生长在我们的单极性氮化镓,并且并排与一个C- LED结构运行在同一个MOCVD里作为参考。一些关键的验证结果如下内容:

• LED的结构在我们的半极性氮化镓生长达到2.5倍以上,超过C- LED结构
• 我们的单极性氮化镓铟允许生长〜25 nm较长的峰值波长
• 在2010年10月的著名物理学杂志上,已出版合作的进一步调查结果的专题文章,标题为"半极性氮化物表面及异质结构"。

Ostendo的首席执行官 Dr. Hussein S. El Ghoroury 说,"这验证了我们在单极性氮化镓领域的过去两年半时间里出色的工作,因为它证明了我们的单极性氮化镓的主要优势,应有助于鼓励LED制造商开始考虑未来LED亮度改善。我们很高兴的是,单极性氮化镓晶片是在TDI的生产,它作为一个受Ostendo资助的研究结果,产生了这些令人鼓舞的结果",牛津仪器业务发展总监Frazer Anderson评论,"作为一个商业,牛津仪器的目的是利用创新给世界带来一流的智能科技产品,与Ostendo和PARC结合并通过我们公司拥有的先进技术达到客户的需求。

今年早些时候Ostendo和TDI宣布单极性可用性(11-22)在蓝宝石衬底氮化镓使用Ostendo的专利设计和TDI的专有氢化物气相外延(HVPE)技术的晶片。这次结合开发提供了机会,现在领先的高亮度发光二极管(HBLED)和激光二极管开发商增加光学效率明显高于在c面GaN衬底结构。